KAIST, ‘D램+플래시 메모리’ 융합메모리 소자 개발

국내 연구진이 단일 트랜지스터에서 두 가지 메모리 기능을 갖는 융합메모리 소자를 개발했다.
최양규 KAIST 전기 및 전자공학부 교수와 이병현 박사과정 연구팀은 최근 실리콘 나노선을 수직으로 쌓는 기술을 이용해 D램과 플래시 메모리 기능을 동시에 지닌 '융합메모리 반도체 소자(URAM)'를 개발했다고 밝혔다.
메모리 반도체는 크게 D램과 플래시 메모리로 나뉘는데, D램은 동작속도가 빠르지만 휘발성 메모리여서 정보를 안정적으로 저장하려면 많은 전력이 소모된다. 플래시 메모리는 D램보다 동작속도는 느리나 비휘발성 메모리이기 때문에 장기간 정보를 안정적으로 저장할 수 있다.
연구팀은 하나의 트랜지스터에 실리콘 나노선을 수직으로 5단까지 쌓는 기술을 통해 두 메모리의 장점을 결합해 집적도를 향상 시킨 융합 메모리 소자를 개발했다. 특히 이 메모리 소자는 단일 나노선 기반의 메모리 소자에 비해 5배가량 향상된 동작 속도를 구현하면서 전력 소모도 줄일 수 있다.
구조와 면적을 늘리지 않고 시스템 내 칩 간 간섭효과를 줄여 소자의 동작 속도가 빠르고, 패키지 공정을 단순화해 제작 비용도 줄일 수 있다고 연구팀은 설명했다.
최양규 교수는 “메모리 반도체의 제작 공정과 성능을 개선하고, 궁극적으로 메모리 반도체의 소형화를 이루는데 기여할 것으로 기대한다.”고 말했다.
이 연구결과는 나노분야 학술지 ‘나노 레터스(8월 31일자) 온라인판’에 실렸으며, 미래부 글로벌프론티어사업과 미래유망융합파이오니아 사업의 지원을 받아 연구를 수행했다.